在最近的All-In峰会上，英伟达创始人黄仁勋大胆预测，随着中国自主技术的飞速进步，到2030年，中国将能自主研发出先进的光刻系统。一旦这一技术成熟，凭借中国企业在规模化生产上的卓越能力，国产光刻设备进入商业化应用将指日可待。黄仁勋对中国技术的发展潜力表现出浓厚的信心，然而与之形成鲜明对比的，是德国蔡司半导体的负责人在先前的采访中表示，中国要实现自主生产EUV光刻机，可能还需要长达15年的时间。这种明显的观点差异引发了广泛讨论。
在具体技术产品的视角上，黄仁勋和蔡司负责人的看法存在根本差异。蔡司所提及的EUV光刻机，采用的是13.5纳米的波长，这是当前芯片制造中最先进的工业设备之一。而黄仁勋所指的“先进光刻系统”则涵盖了更广的范围，其中包括浸润式DUV光刻机。后者如同ASML生产的高端光刻机，亦可用于生产先进的7纳米节点芯片。
相较于EUV，浸润式DUV光刻能够支持从成熟节点到先进节点的多样化芯片制造。虽然先进芯片的生产需要依赖自对准四重图案化技术，工艺复杂且成本较高，但在EUV尚未实现正式商用之前，台积电的第一代7纳米制程（N7）便是通过浸润式DUV顺利实现量产的，华为的麒麟980和麒麟990便是采用了这一技术。而三星的猎户座9825则是全球首款使用EUV技术的芯片，华为随后推出的麒麟990 5G芯片标志着EUV正式大规模应用的开始。 金年会
EUV光刻技术主要用于尖端高性能芯片的生产，而DUV则具备极为广泛的应用范围，从成熟节点到7纳米节点都可以涵盖。因此，这两者并非简单的替代关系，而是不同技术生态下的独立选择，适用于不同的技术需求。黄仁勋关注的，恰恰是中国企业在系统工程层面展现出的强大竞争力。例如，华为推出的超节点技术，利用集群效应，通过堆叠多个算力芯片来弥补单芯片算力的不足，这充分展现了中国在面对外部压力时的技术创新能力。
国产浸润式DUV光刻机的整机制造实现了突破，标志着中国在光源激发、曝光系统以及双工件台等关键技术环节的共同进步。如果按照目前的执行力持续发展到2030年，实现国产设备的批量生产并不是不可能。而与此形成鲜明对比的是，EUV技术的发展则显得尤为艰难。蔡司作为ASML EUV光刻机的独家曝光系统供应商，掌握着反射镜、投影系统和多层膜等关键技术，还拥有超过2000项相关的技术专利。
蔡司的半导体负责人指出，中国企业在研发EUV光刻机时，面临长达15年的技术攻关，其中不仅包括设备制造，还涉及芯片制造的技术水平。想要设计出自主且可量产、稳定运行的EUV设备，绝不仅仅是实验室中成功出射一束13.5纳米的极紫外光那么简单。真正的成功还需要在设备激发功率、供应链匹配程度和软件系统等多个方面达到足够的稳定性，只有在工业环境下可靠工作的设备才能称得上是成功。 金年会
光刻系统可以划分为四个不同的技术阶段。首阶段是干式DUV技术，中国在90纳米及65纳米分辨率的干式DUV光刻机制造上已实现自主控制，成功服务于成熟芯片制造。第二阶段是浸润式DUV技术，此技术支持14纳米至7纳米节点的芯片生产，并将在未来五年成为主战场。如果国产设备能够稳定实现量产，将能覆盖大量车规、工控、存储和逻辑芯片的制造需求。
第三阶段则是寻找非EUV技术的替代路径。在缺乏获取EUV技术或国产EUV技术尚未商业化的情况下，探索其他技术选项继续推进尖端芯片的发展。尽管先进封装和逻辑堆叠技术无法完全替代EUV，但可减少对EUV技术的依赖，借助现有技术继续提升芯片性能。第四阶段是致力于实现自主可控的EUV设备，包括高功率光源、曝光反射镜、双工件台和软件系统等子系统的逐步突破，最终将这些子系统整合制造出完整的芯片。
然而，这一过程中的挑战重重。从各个子系统中的自主可控，到规避ASML和蔡司的专利问题，EUV技术的发展远比DUV艰难。中国半导体制造业绝不仅仅依赖单一技术路径的发展，而是需要DUV与EUV这两条主线互补发展，同时推动先进封装、逻辑折叠和混合键合等技术的同步进步。实现DUV设备的自主可控，将显著提升成熟芯片制造的可靠性，并降低被卡脖子的风险。而若能实现EUV的自主可控，我国在国际尖端芯片领域将逐步追赶上主流水平。 金年会
而当前正在推进的先进封装技术，以及华为提出的逻辑折叠技术，正是在EUV技术面临约束的情况下，为尖端芯片发展提供了另一种技术选择。这不仅是对摩尔定律面临失效的前瞻性布局，同时也展现了中国在全球半导体板块中不断优化发展的决心。
